STMicroelectronics STL45N10F7AG
- 收藏
- 对比
STL45N10F7AG
2381-STL45N10F7AG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
立即发货

MOSFET
--最小包装量--
STL45N10F7AG详情
STMicroelectronics STL45N10F7AG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
18A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
72W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STL45
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
24m Ω @ 9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1450pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
19.5nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
18A
漏极-源极导通最大电阻
0.024Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
72A
DS 击穿电压-最小值
100V
雪崩能量等级(Eas)
150 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STL45N10F7AG拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics








哦! 它是空的。