STL45N10F7AG
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STMicroelectronics STL45N10F7AG

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型号

STL45N10F7AG

utmel 编号

2381-STL45N10F7AG

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-PowerVDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET

起订量

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STL45N10F7AG
STL45N10F7AG STMicroelectronics MOSFET

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STL45N10F7AG详情

STMicroelectronics STL45N10F7AG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerVDFN

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    18A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    72W Tc

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    5

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    STL45

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F5

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    24m Ω @ 9A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1450pF @ 50V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    19.5nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    18A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.024Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    72A

  • DS 击穿电压-最小值

    100V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    150 mJ

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: STMicroelectronics STL45N10F7AG.

STL45N10F7AG拓展信息

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