STMicroelectronics STL80N4LLF3

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

80W Tc

Turn Off Delay Time

62 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STL80

引脚数量

8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

80W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2530pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28nC @ 4.5V

上升时间

25ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

9 ns

连续放电电流(ID)

10A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20A

漏极-源极导通最大电阻

0.007Ohm

漏源击穿电压

40V

双电源电压

40V

栅源电压

1 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant