STL8N6F7
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STMicroelectronics STL8N6F7

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型号

STL8N6F7

utmel 编号

2381-STL8N6F7

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-PowerVDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET NCH 60V 36A POWERFLAT

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STL8N6F7
STL8N6F7 STMicroelectronics MOSFET NCH 60V 36A POWERFLAT

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STL8N6F7详情

STMicroelectronics STL8N6F7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 工厂交货时间

    22 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerVDFN

  • 引脚数

    8

  • 制造商包装标识符

    PowerFLATTM-8465286

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    36A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    3W Ta 60W Tc

  • Turn Off Delay Time

    12.1 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    STripFET™ F7

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    STL8

  • 通道数量

    1

  • 功率耗散

    60W

  • 接通延迟时间

    7.85 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    25m Ω @ 4A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    450pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    8nC @ 10V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    36A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    60V

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 高度

    900μm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: STMicroelectronics STL8N6F7.

右边的3个型号有着和STMicroelectronics & STL8N6F7相似的参数规格。

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