STMicroelectronics STL9N3LLH5

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta 50W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Tc

Turn Off Delay Time

21 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™ V

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STL9

引脚数量

8

JESD-30代码

S-XDSO-N5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

19m Ω @ 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

724pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5nC @ 4.5V

上升时间

4.2ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±22V

下降时间（典型值）

3.5 ns

连续放电电流(ID)

9A

栅极至源极电压(Vgs)

22V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏极-源极导通最大电阻

0.022Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

36A

DS 击穿电压-最小值

30V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅