STMicroelectronics STN749

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

-25V

最大功率耗散

1.6W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STN749

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.6W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 300mA, 3A

最大击穿电压

25V

集电极基极电压(VCBO)

35V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅