STMicroelectronics STN888

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2V

Number of Elements

1

hFEMin

120

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

最大功率耗散

1.6W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STN888

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

1.6W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 500mA 1V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 500mA, 10A

最大击穿电压

30V

集电极基极电压(VCBO)

45V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

连续集电极电流

5A

高度

1.8mm

长度

6.5mm

宽度

3.5mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅