STO67N60DM6
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STMicroelectronics STO67N60DM6

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型号

STO67N60DM6

utmel 编号

2381-STO67N60DM6

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

0603 (1608 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor MOSFET N-Channel 600V 33A 8-Pin TO-LL T/R

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STO67N60DM6
STO67N60DM6 STMicroelectronics Transistor MOSFET N-Channel 600V 33A 8-Pin TO-LL T/R

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STO67N60DM6详情

STMicroelectronics STO67N60DM6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    0603 (1608 Metric)

  • 安装类型

    通孔

  • 供应商器件包装

    0603

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

  • Base Product Number

    RN73R1J

  • 厂商

    KOA Speer Electronics, Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Continuous Drain Current Id

    58

  • Number of Elements per Chip

    1

  • Package Type

    TO-220

  • Channel Mode

    Enhancement

  • MSL

    MSL 1 - Unlimited

  • Qualification

    -

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    600 V

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    4.75 V

  • Pd - Power Dissipation

    240 W

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    - 25 V, + 25 V

  • Unit Weight

    0.002681 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1800

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Manufacturer

    STMicroelectronics

  • Brand

    STMicroelectronics

  • Qg - Gate Charge

    72.5 nC

  • Tradename

    MDmesh

  • Rds On - Drain-Source Resistance

    59 mOhms

  • RoHS

    Details

  • Id - Continuous Drain Current

    58 A

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    33A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    150W (Tc)

  • 操作温度

    -55°C ~ 155°C

  • 系列

    RN73R

  • 包装

    MouseReel

  • 尺寸/尺寸

    0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)

  • 容差

    ±0.1%

  • 终止次数

    2

  • 温度系数

    ±50ppm/°C

  • 电阻

    1.89 kOhms

  • 组成

    Thin Film

  • 功率(瓦特)

    0.1W, 1/10W

  • 子类别

    MOSFETs

  • 技术

    Si

  • 引脚数量

    3

  • 失败率

    -

  • 通道数量

    1 Channel

  • 功率耗散

    240

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    59mOhm @ 23.75A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4.75V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    3400 pF @ 100 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    72.5 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    600 V

  • Vgs(最大值)

    ±25V

  • 产品类别

    MOSFET

  • 信道型

    N通道

  • 场效应管特性

    -

  • 特征

    Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant

  • 产品类别

    MOSFET

  • 座位高度(最大)

    0.022 (0.55mm)

  • 评级结果

    AEC-Q200

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技术文档: STMicroelectronics STO67N60DM6.

STO67N60DM6拓展信息

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