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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.001408
10
¥9.435289
100
¥8.901213
500
¥8.397372
1000
¥7.922048
STMicroelectronics STP10N95K5
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STP10N95K5
2381-STP10N95K5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 950V 8A TO-220
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STP10N95K5详情
STMicroelectronics STP10N95K5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
17 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
329.988449mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
130W Tc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Turn Off Delay Time
51 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperMESH5™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STP10
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
130W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
22 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
800m Ω @ 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
630pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22nC @ 10V
上升时间
14ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
8A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8A
漏极-源极导通最大电阻
0.8Ohm
漏源击穿电压
950V
高度
15.75mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STP10N95K5拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
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