STMicroelectronics STP110N55F6

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

110A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

150W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

DeepGATE™, STripFET™ VI

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

基本部件号

STP110

配置

Single

功率耗散

150W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.2m Ω @ 60A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8350pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

120nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

110A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

55V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅