STMicroelectronics STP120N4F6

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

20 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

基本部件号

STP120

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.3m Ω @ 40A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3850pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

65nC @ 10V

上升时间

70ns

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

80A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

DS 击穿电压-最小值

40V

高度

15.75mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅