STMicroelectronics STP12N120K5

工厂交货时间

17 Weeks

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 100μA

Power Dissipation (Max)

250W Tc

Number of Elements

1

系列

MDmesh™ K5

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

基本部件号

STP12

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

250W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

690m Ω @ 6A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1370pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

44.2nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

1200V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

12A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.69Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无