STMicroelectronics STP12NM50FD

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

160W Tc

Turn Off Delay Time

39 ns

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

FDmesh™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

500V

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

额定电流

12A

基本部件号

STP12

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

160W

接通延迟时间

19 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

400m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 10V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

18 ns

连续放电电流(ID)

12A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.4Ohm

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48A

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅