STMicroelectronics STP130N10F3

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

250W Tc

Turn Off Delay Time

52 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

STripFET™ III

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

9.6MOhm

附加功能

超低电阻

端子位置

SINGLE

基本部件号

STP130

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

250W

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.6m Ω @ 60A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3305pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

57nC @ 10V

上升时间

38ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7.2 ns

连续放电电流(ID)

120A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

450A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅