STMicroelectronics STP18NM60ND

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

13 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

FDmesh™ II

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

290mOhm

基本部件号

STP18N

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

130W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

55 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

290m Ω @ 6.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1030pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34nC @ 10V

上升时间

15.5ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

18 ns

连续放电电流(ID)

13A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52A

雪崩能量等级（Eas）

187 mJ

高度

15.75mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅