STMicroelectronics STP210N75F6

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Turn Off Delay Time

154 ns

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Number of Elements

1

系列

DeepGATE™, STripFET™ VI

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

3.7MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

基本部件号

STP210

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

接通延迟时间

34 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.7m Ω @ 60A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

171nC @ 10V

上升时间

70ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

71 ns

连续放电电流(ID)

120A

阈值电压

2V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

75V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480A

宽度

4.6mm

长度

10.4mm

高度

15.75mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅