STMicroelectronics STP27N60M2-EP
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STP27N60M2-EP
2381-STP27N60M2-EP
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
1最小包装量--
STP27N60M2-EP详情
STMicroelectronics STP27N60M2-EP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
16 Weeks
包装/外壳
TO-220-3
安装类型
通孔
底架
通孔
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4.75V @ 250μA
Power Dissipation (Max)
170W Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A Tc
系列
MDmesh™ M2-EP
包装
Tube
操作温度
-55°C~150°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STP27N
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
163m Ω @ 10A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1320pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±25V
连续放电电流(ID)
20A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STP27N60M2-EP拓展信息
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