STMicroelectronics STP2NK60Z

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

45W Tc

Turn Off Delay Time

22 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电阻

8Ohm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

600V

额定电流

1.4A

基本部件号

STP2N

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

45W

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8 Ω @ 700mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

170pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 10V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

55 ns

连续放电电流(ID)

1.4A

阈值电压

3.75V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6A

雪崩能量等级（Eas）

90 mJ

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅