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500

￥28.435029
1000

￥26.825499

STMicroelectronics STP30N65DM6AG

Name: STP30N65DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 2381-STP30N65DM6AG
Price: 33.87 USD
Availability: InStock
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对比

型号

STP30N65DM6AG

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-STP30N65DM6AG

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor MOSFET N-Channel 650V 28A 3-Pin TO-220 Tube

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STP30N65DM6AG STMicroelectronics Transistor MOSFET N-Channel 650V 28A 3-Pin TO-220 Tube

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STP30N65DM6AG详情

技术参数

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STMicroelectronics STP30N65DM6AG重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-220-3
供应商器件包装

TO-220
Package

Bulk
Base Product Number

STP30
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

STMicroelectronics
Power Dissipation (Max)

223W (Tc)
Product Status

活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000
Manufacturer

STMicroelectronics
Brand

STMicroelectronics
RoHS

Details
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

Automotive, AEC-Q101
包装

Tube
子类别

MOSFETs
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

115mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.75V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2000 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

46 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

650 V
Vgs（最大值）

±25V
产品类别

MOSFET
场效应管特性

-
产品类别

MOSFET

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技术文档: STMicroelectronics STP30N65DM6AG.

数据表 :
pid_35661038_4adf2245924e9d8aa35b07809e5112a6.pdf

STP30N65DM6AG拓展信息

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