STMicroelectronics STP5N62K3
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STP5N62K3
2381-STP5N62K3
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220AB
--最小包装量--
STP5N62K3详情
STMicroelectronics STP5N62K3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
70W Tc
Turn Off Delay Time
40 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperMESH3™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
1.6Ohm
附加功能
ULTRA LOW-ON RESISTANCE
基本部件号
STP5N
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
70W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.6 Ω @ 2.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
680pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
26nC @ 10V
上升时间
8ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
21 ns
连续放电电流(ID)
4.2A
阈值电压
3.75V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
620V
高度
15.75mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STP5N62K3拓展信息
STMicroelectronics
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