STMicroelectronics STP60NF06L

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

9.071847g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V 5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

55 ns

操作温度

-65°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

STripFET™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

14mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

LOW THRESHOLD, AVALANCHE RATED

电压 - 额定直流

60V

额定电流

60A

基本部件号

STP60N

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

66nC @ 4.5V

上升时间

220ns

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

60A

阈值电压

1V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

15V

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

高度

9.15mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅