STMicroelectronics STP85NF55L

工厂交货时间

38 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

70 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

STripFET™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

8mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

基本部件号

STP85N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8m Ω @ 40A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4050pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 5V

上升时间

165ns

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

55 ns

连续放电电流(ID)

80A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

15V

漏源击穿电压

55V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320A

雪崩能量等级（Eas）

980 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅