STMicroelectronics STP9NK60Z

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 100μA

Turn Off Delay Time

43 ns

Power Dissipation (Max)

125W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A Tc

系列

SuperMESH™

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

600V

额定电流

7A

基本部件号

STP9N

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125W

接通延迟时间

19 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

950m Ω @ 3.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1110pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

53nC @ 10V

上升时间

17ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

3.5A

阈值电压

3.75V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏极-源极导通最大电阻

0.95Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

28A

宽度

4.6mm

长度

10.4mm

高度

9.15mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅