STMicroelectronics STPSA42-AP
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STPSA42-AP
2381-STPSA42-AP
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
1最小包装量--
STPSA42-AP详情
STMicroelectronics STPSA42-AP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
300V
Number of Elements
1
hFEMin
40
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Box (TB)
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
300V
最大功率耗散
625mW
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
500mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STPSA42
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
50MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 30mA 10V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 2mA, 20mA
转换频率
50MHz
集电极基极电压(VCBO)
300V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STPSA42-AP拓展信息















哦! 它是空的。