STMicroelectronics STQ3NK50ZR-AP

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

500mA Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

系列

SuperMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STQ3

引脚数量

3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.3 Ω @ 1.15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

280pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

500mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.5A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

2A

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant