STMicroelectronics STR2N2VH5

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

14 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

350mW Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

STripFET™ V

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

30mOhm

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

基本部件号

STR2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

350mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

30m Ω @ 2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 250μA (Min)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

367pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.6nC @ 4.5V

Vgs（最大值）

±8V

连续放电电流(ID)

2.3A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

20V

高度

1.3mm

长度

3.04mm

宽度

1.75mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅