STMicroelectronics STS12N3LLH5

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.7W Tc

Turn Off Delay Time

32.4 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

STripFET™ V

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

STS12

引脚数量

8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.7W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.5m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1290pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8nC @ 4.5V

上升时间

11.2ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

+22V, -20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

12A

栅极至源极电压(Vgs)

22V

漏极-源极导通最大电阻

0.0097Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅