STMicroelectronics STS5N15F4

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

20 Weeks

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

2.5W Tc

Turn Off Delay Time

39.7 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

DeepGATE™, STripFET™

JESD-609代码

e4

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

STS5N

引脚数量

8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

13.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

63m Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2710pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

48nC @ 10V

上升时间

5.1ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

11.4 ns

连续放电电流(ID)

5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏极-源极导通最大电阻

0.063Ohm

漏源击穿电压

150V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅