STMicroelectronics STS6NF20V

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.95V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Tc

Turn Off Delay Time

27 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™ II

JESD-609代码

e4

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STS6N

引脚数量

8

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

600mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

460pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.5nC @ 4.5V

上升时间

33ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

6A

阈值电压

600mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏极-源极导通最大电阻

0.045Ohm

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24A

高度

1.25mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅