STMicroelectronics STSA851-AP
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STSA851-AP
2381-STSA851-AP
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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Transistors Bipolar - BJT NPN Lo-Volt Fast Sw
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STSA851-AP详情
STMicroelectronics STSA851-AP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
60V
Number of Elements
1
hFEMin
150
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Box (TB)
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
1.1W
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
频率
130MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STSA851
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
1.1W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
130MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
150 @ 2A 1V
最大集极截止电流
50nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
450mV @ 200mA, 5A
转换频率
130MHz
集电极基极电压(VCBO)
150V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
连续集电极电流
5A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STSA851-AP拓展信息















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