STMicroelectronics STT4P3LLH6
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STT4P3LLH6
2381-STT4P3LLH6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6
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MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
--最小包装量--
STT4P3LLH6详情
STMicroelectronics STT4P3LLH6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
1.6W Ta
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
DeepGATE™, STripFET™ H6
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STT4P
配置
Single
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
56m Ω @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
639pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
4A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STT4P3LLH6拓展信息
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