STMicroelectronics STU150N3LLH6

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

75 ns

操作温度

175°C TJ

包装

Tube

系列

DeepGATE™, STripFET™ VI

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

基本部件号

STU150

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.3m Ω @ 40A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4040pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

40nC @ 4.5V

上升时间

18ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

46 ns

连续放电电流(ID)

80A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0049Ohm

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

525 mJ

高度

6.9mm

长度

6.6mm

宽度

2.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant