注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.427082
10
¥8.893473
100
¥8.390066
500
¥7.915162
1000
¥7.46713
STMicroelectronics STU1HN60K3
- 收藏
- 对比
STU1HN60K3
2381-STU1HN60K3
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STU1HN60K3详情
STMicroelectronics STU1HN60K3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
27W Tc
Turn Off Delay Time
23 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperMESH3™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
基本部件号
STU1HN
元素配置
Single
功率耗散
27W
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
8 Ω @ 600mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
140pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.5nC @ 10V
上升时间
10ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
31 ns
连续放电电流(ID)
1.2A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
高度
6.2mm
长度
6.6mm
宽度
2.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STU1HN60K3拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics








哦! 它是空的。