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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.348438
10
¥4.102301
100
¥3.870094
500
¥3.651036
1000
¥3.444374
STMicroelectronics STU2N80K5
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- 对比
STU2N80K5
2381-STU2N80K5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STU2N80K5详情
STMicroelectronics STU2N80K5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
17 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
45W Tc
Turn Off Delay Time
19 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperMESH5™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
基本部件号
STU2N
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.5 Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
105pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.5nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
800V
连续放电电流(ID)
2A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
8A
DS 击穿电压-最小值
800V
雪崩能量等级(Eas)
60.5 mJ
高度
6.2mm
长度
6.6mm
宽度
2.4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STU2N80K5拓展信息
STMicroelectronics
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