STMicroelectronics STU6N95K5
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STU6N95K5
2381-STU6N95K5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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MOSFET N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr SuperMESH V
--最小包装量--
STU6N95K5详情
STMicroelectronics STU6N95K5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
17 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
90W Tc
Turn Off Delay Time
33 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
5V @ 100μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperMESH5™
JESD-609代码
e3
零件状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STU6N
配置
Single
功率耗散
90W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.25 Ω @ 3A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
450pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13nC @ 10V
上升时间
12ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
21 ns
连续放电电流(ID)
9A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9A
漏源击穿电压
950V
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STU6N95K5拓展信息
STMicroelectronics
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