STMicroelectronics STU7NM60N

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

26 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

45W Tc

Turn Off Delay Time

26 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ II

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

900MOhm

基本部件号

STU7N

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

45W

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

900m Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

363pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 10V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

5A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

高度

6.9mm

长度

6.6mm

宽度

2.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅