STMicroelectronics STW13N80K5

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

17 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

190W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperMESH5™

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STW13N

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

450m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

870pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

800V

Vgs（最大值）

±30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12A

漏极-源极导通最大电阻

0.45Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48A

DS 击穿电压-最小值

800V

雪崩能量等级（Eas）

148 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅