STMicroelectronics STW29NK50ZD

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

29A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

350W Tc

Turn Off Delay Time

133 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

500V

额定电流

29A

基本部件号

STW29N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

350W

接通延迟时间

45 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

130m Ω @ 14.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6450pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

200nC @ 10V

上升时间

43ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

29A

JEDEC-95代码

TO-247AC

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.13Ohm

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

116A

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅