STMicroelectronics STW62NM60N

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

65A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

450W Tc

Turn Off Delay Time

65 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STW62N

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

350W

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

49m Ω @ 32.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5800pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

174nC @ 10V

上升时间

35ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

210 ns

连续放电电流(ID)

65A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

55A

漏极-源极导通最大电阻

0.048Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

220A

高度

20.15mm

长度

15.75mm

宽度

5.15mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅