STW69N65M5
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STMicroelectronics STW69N65M5

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型号

STW69N65M5

utmel 编号

2381-STW69N65M5

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 650V 58A TO-247

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STW69N65M5
STW69N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 58A TO-247

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STW69N65M5详情

STMicroelectronics STW69N65M5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

  • 工厂交货时间

    17 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    58A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    330W Tc

  • Turn Off Delay Time

    102 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    MDmesh™ V

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    45MOhm

  • 基本部件号

    STW69N

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    330W

  • 接通延迟时间

    102 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    45m Ω @ 29A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    6420pF @ 100V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    143nC @ 10V

  • Vgs(最大值)

    ±25V

  • 连续放电电流(ID)

    58A

  • 阈值电压

    4V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    25V

  • 漏源击穿电压

    650V

  • 高度

    20.15mm

  • 长度

    15.75mm

  • 宽度

    5.15mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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