STMicroelectronics STX112

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Number of Elements

1

hFEMin

500

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

1.2W

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STX112

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

2.5V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 1A 4V

最大集极截止电流

2mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 8mA, 2A

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅