STMicroelectronics STX117-AP

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Number of Elements

1

hFEMin

500

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.0067

最大功率耗散

1.2W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

基本部件号

STX117

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

800mW

功率 - 最大

1.2W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 1A 4V

最大集极截止电流

2mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 8mA, 2A

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

4.5mm

长度

4.8mm

宽度

3.8mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant