STMicroelectronics STX826

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Current-Collector (Ic) (Max)

3A

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

900mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

基本部件号

STX826

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

900mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

10μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.1V @ 150mA, 3A

转换频率

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant