STMicroelectronics STY60NM60

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

560W Tc

Turn Off Delay Time

55 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

600V

额定电流

60A

基本部件号

STY60N

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

560W

接通延迟时间

55 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

55m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

266nC @ 10V

上升时间

95ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

76 ns

连续放电电流(ID)

60A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.055Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

高度

20.3mm

长度

5.9mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅