THD277HI
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STMicroelectronics THD277HI

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型号

THD277HI

utmel 编号

2381-THD277HI

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

8A, 700V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, ISOWATT218, 3 PIN

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THD277HI
THD277HI STMicroelectronics 8A, 700V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, ISOWATT218, 3 PIN

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THD277HI详情

STMicroelectronics THD277HI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    STMICROELECTRONICS

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Turn-off Time-Max (toff)

    3410 ns

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 最大耗散功率(Abs)

    50 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    8 A

  • 最小直流增益(hFE)

    6

  • 集电极-发射器电压-最大值

    700 V

  • VCEsat-最大值

    0.9 V

  • 环境耗散-最大值

    50 W

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技术文档: STMicroelectronics THD277HI.

THD277HI拓展信息

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