STMicroelectronics TIP146

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-218-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Number of Elements

1

hFEMin

1000

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

-80V

最大功率耗散

125W

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-10A

基本部件号

TIP146

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

125W

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

3V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 5A 4V

最大集极截止电流

2mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 40mA, 10A

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

10A

VCEsat-最大值

3 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅