STMicroelectronics TRD136DT4

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Number of Elements

1

hFEMin

10

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

最大功率耗散

20W

终端形式

鸥翼

基本部件号

TRD136

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

20W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 2A 5V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 500mA, 2A

最大击穿电压

400V

发射极基极电压 (VEBO)

9V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅