STMicroelectronics TRD236DT4

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Number of Elements

1

hFEMin

8

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

最大功率耗散

35W

终端形式

鸥翼

基本部件号

TRD236

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率 - 最大

35W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1.3V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

8 @ 2.5A 5V

最大集极截止电流

250μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.3V @ 600mA, 2.5A

最大击穿电压

400V

发射极基极电压 (VEBO)

9V

RoHS状态

符合RoHS标准