Texas Instruments CSD13202Q2T

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

供应商器件包装

6-WSON (2x2)

Base Product Number

CSD13202

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14.4A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

厂商

德州仪器

Package

Bulk

Power Dissipation (Max)

2.7W (Ta)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

NexFET™

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.3mOhm @ 5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

997 pF @ 6 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.6 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

12 V

Vgs（最大值）

±8V

场效应管特性

-