Texas Instruments CSD18543Q3A
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CSD18543Q3A
2502-CSD18543Q3A
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
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60V N CH MOSFET
--最小包装量--
CSD18543Q3A详情
Texas Instruments CSD18543Q3A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
表面安装
YES
引脚数
8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
8 ns
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
雪崩 额定
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
基本部件号
CSD18543
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
66W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9 ns
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
35A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
雪崩能量等级(Eas)
55 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
150°C
漏源电阻
8.1mOhm
反馈上限-最大值 (Crss)
6.2 pF
高度
900μm
长度
3.3mm
宽度
3.3mm
器件厚度
800μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CSD18543Q3A拓展信息
Texas Instruments
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